1.1 半导体基础知识 1.2 原子中的电子状态——能级 1.3.1 能带的形成 1.3.2 能带论 1.4 半导体中电子的运动与有效质量 1.5 半导体的导电机构与空穴 1.6 回旋共振及常见半导体的能带结构 2.1 半导体中的杂质和缺陷能态（上） 2.2 半导体中的杂质和缺陷能态（下） 3.1.1 载流子浓度的表达式（1） 3.1.2 载流子浓度的表达式（2） 3.1.3 载流子浓度的表达式（3） 3.2.1 半导体的载流子浓度与费米能级（1） 3.2.2 半导体的载流子浓度与费米能级（2） 3.2.3 半导体的载流子浓度与费米能级（3） 3.3 简并半导体 3.4 第三讲小结 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.2 载流子的散射及其对漂移运动的影响 4.3 电阻率与杂质浓度和温度的关系 4.4 第四讲小结 5.1 非平衡态与非平衡载流子 5.2 复合理论与陷阱效应 5.3 非平衡载流子的扩散运动与爱因斯坦关系 5.4 连续性方程 5.5 第五讲小结 6.1 M-S接触的势垒模型 6.2 整流接触与欧姆接触 7.1.1 表面电场效应（上） 7.1.2 表面电场效应（下） 7.2.1 表面空间电荷区的基本性质（上） 7.2.2 表面空间电荷区的基本性质（下） 7.3.1 MIS结构的C-V特性（上） 7.3.2 MIS结构的C-V特性（下） 7.4 Si-SiO₂系统及表面电导 8.1.1 半导体异质结的能带结构（上） 8.1.2 半导体异质结的能带结构（下） 8.2 异质PN结的I-V特性及注入特性 8.3 半导体异质结量子阱及超晶格结构 9.1.1 半导体中的光吸收（上） 9.1.2 半导体中的光吸收（下） 9.2.1 半导体的光电导（上） 9.2.2 半导体的光电导（下） 9.3 光生伏特效应 9.4 半导体发光 10.1 半导体的热电效应 10.2 半导体的热导率 11 半导体在磁场中的效应——霍耳效应 12 非晶态半导体